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一个电阻器除了电阻值外，由于它精构上的原因。必然存在一定的电容量和电威量。电阻器的里的等效电路如3.15所示。
R是电阻器的阻值，C是沿整个电阻体的分布电容量的总和。乙是导越电感，它包括电阻結构所产生的任何电威量。C:是电阻器接入电路中所产生的电容量
一般說来，电联电威对于低阻值电阻器是最重要的危害因素，而并联电容则是高阻值电阻器最严重的危害因素。
EAK高频无感电阻
在任一频率下电阻器可以看作如圆3.16所示的幷联路，此处Cr可以是正值也可以是負值。低阻值时C，随电阻值的变化如圖3.17所示。
圖3.16一定频率下低阻值电阻器在射电频率下的阻值的等效电路。R:与直流电阻R的比值，R,/R与R:的关系如圖3.18所示。由圆中可以看出，由于串联电威作用，在極低阻值电阻器中 R, 比R要大。
通常所有电阻器在射电频率时的电阻或阻抗随频率之增高而减少，这是因为有分布电容C的原故;电阻器的阻值越高則在射电频率时阻值下降越其。圆3.19表示500欧姆及25,000欧姆的1/2元电阳器在500兆周以下的频率范内阻值下降的形式。”。
阻值为 1,000 欧姆至1兆欧的典型复合碳电阻器在频率40兆周以下其性能如圆3.20所示，其阳值随頻率增高而下降。
低阻值电阻器用作終端电阻或負戴电阳器时，常用于極高以至数千兆周的高频率。这些电阻器在1,500 兆周以下的情况如圈3.21所示。圆3.20 典型复合碳电阻器R,/Rw与頫率的关系。
包埃拉(Boella)于1934年最先注意到了在高频下限值下降的事实。他提出的里論是:在复合体中有多隔离碳子的結合剂微粒，形成了许多小电容器，产生了并联电容量，在高頻时由于幷联电容作用而致阻值降低。
何偉(Howe)1933年第一个試圖由理論来确定射频阳值和直流阻值的比值。他假定在高频下电阻器像一条捷路傅翰钱，带有分布电阻和分布电容元件;也就是單位長度内有一平均的分布电容量(如圆3.22)。
从傳輸綫的理論出發，针算出对每一个0或2f就有个R，与一个幷联C,值，这是电阻器在頻率时的等效值。标出R/R与f..A的曲綫即可得出随频李变化的有效阳值。如單位長度内。NANIVTNAANT平均分布电容量C圖3.22带有分布元件的傅。的值能够确定时，則在任何射电频率时的有效阻值即可計算出来。何偉的曲如3.23所示。圆中曲仅适用于高阳值,此时串联电威可忽略不計。
此策位長度上的分布电容C与棒有关，哈脱指出电器在工作时是常与其他元件在一起的，因之电场必然畸变而使C值难于計算。事实上C值相当高，但实际上有效值仅C/3。所以，假如在一千周范内测得电阻器的等效幷联电容量C，以其值之三分之一代入何偉曲，則可得較佳的近似值。一个有用的大致規律是当“R”小于0.03时(其中f为兆周，R为兆欧)，高频电阻值为直电阻值的10%以内。
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